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MoS2低维材料的溶液法制备及其在光电转换中的应用研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  王敏
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Mos2  纳米结构  异质结  光催化产氢  Nanostructures  Heterojunction  Photocatalytic Hydrogen Evolution  
(n11)取向GaAsN外延材料的Si掺杂行为及肖特基接触特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  董琛
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Gaasn  生长取向  外延生长  光电特性  Growth Orientation  Epitaxial Growth  Optoelectronic Characteristics  
Pre-annealing induced oxide barrier to suppress the overselenization of Mo contact 期刊论文
Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2016, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 11188-11191
Authors:  Li W(李文);  Han XX(韩修训);  Zhao Y(赵雲);  Yang SR(杨生荣);  Han XX(韩修训);  Yang SR(杨生荣)
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Effects of a key deep level and interface states on the performance of GaAsN solar cells: a simulation analysis 期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2012, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 105013(1-6)
Authors:  Han, Xiuxun;  Hwang, Jong-Ha;  Kojima, Nobuaki;  Ohshita, Yoshio;  Yamaguchi, Masafumi;  Han XX(韩修训)
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