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一种纳米多层结构碳基薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: ZL201810590511.1, 申请日期: 2020-06-01,
Inventors:  李红轩;  王伟奇;  吉利;  刘晓红;  周惠娣;  陈建敏
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一种纳米多层结构碳基薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: Zl201810590511.1, 申请日期: 2020-06-01,
Inventors:  李红轩;  王伟奇;  吉利;  刘晓红;  周惠娣;  陈建敏
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碳纳米线阵列镶嵌非晶碳薄膜中的碳纳来线/非晶碳复合膜及其制备 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: ZL201810590512.6, 申请日期: 2020-03-01,
Inventors:  李红轩;  王伟奇;  吉利;  刘晓红;  周惠娣;  陈建敏
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Resistive switching behaviors and mechanisms of HfS2 film memory devices studied by experiments and density functional theory calculations 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 6, 期号: 16, 页码: 063503
Authors:  Naifeng Li;  Yue Wang;  Haifeng Sun;  Junjie Hu;  Maoyuan Zheng;  Sihao Ye;  Qi Wang;  Yingtao Li;  Deyan He;  Jiatai Wang;  Guangan Zhang;  Jing Qi
Adobe PDF(1701Kb)  |  Favorite  |  View/Download：62/0  |  Submit date：2020/11/30