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硫化物半导体纳米线的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 200510133952.1, 申请日期: 2008-09-10, 公开日期: 2007-06-27
Inventors:  陈淼;  娄文静;  张亚男;  王晓波
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利用气相沉积法在模板中制备 TiO2 纳米管的研究 期刊论文
西北师范大学学报(自然科学版), 2008, 卷号: 44, 期号: 3, 页码: 50-53
Authors:  张亚男;  陈淼;  梁山;  刘志鲁
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四氯化钛  气相沉积  多孔阳极氧化铝模板  Tio2 纳米管  Ticl4  Vapor Deposition  Porous Anodic Alumina Template  Tio2 Nanotubule