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硫化物半导体纳米线的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 200510133952.1, 申请日期: 2008-09-10, 公开日期: 2007-06-27
Inventors:  陈淼;  娄文静;  张亚男;  王晓波
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单源前驱体法制备金属硫化物纳米材料及其尺寸和形貌的控制研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2007
Authors:  娄文静
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单源前驱体  溶剂热解法  表面修饰  金属硫化物纳米材料  尺寸和形貌调控  Single Source Precursors (Ssps)  Solvo-thermolysis  Surface Modified  Metal Sulfide Nanomaterials  The Controlling Of Size And Morphology