非晶含氢碳薄膜本征结构对退火行为的影响 | |
Department | 中国科学院材料磨损与防护重点实验室/先进润滑与防护材料研究发展中心 |
贾倩; 张斌; 赖振国 | |
The second department | 纳米润滑中心607 |
2022 | |
Source Publication | 表面技术 |
Volume | 51Issue:7Pages:98-106 |
Abstract | 目的 为在高温工况下服役的含氢碳(a–C:H)薄膜的制备提供新思路。方法 首先利用 DP–PECVD 和 BiP–PECVD 两种方法分别在 Si 基底上制备了两种本征结构不同的 a–C:H 薄膜,分别在350、450、550、650 ℃下进行退火处理。通过纳米硬度、X 射线光电子能谱、傅里叶转变红外光谱、激光共聚焦拉曼光谱、场发射扫描电镜及 CSM 摩擦试验机等,分别评价了未退火和不同退火温度下两种不同结构 a–C:H 薄膜的结构、表面形貌、力学及摩擦学等性能。研究了不同本征结构 a–C:H 薄膜对退火行为的影响。结果 DP–PECVD 方法在制备 a–C:H 薄膜(A 薄膜)的过程中具有更高的沉积速率,是 BiP–PECVD 法(B 薄膜)的1.52倍。 随着退火温度的增加,两种方法制备的 a–C:H 薄膜均发生 H 脱附,但是 A 薄膜的脱 H 转变点为450 ℃,B 薄膜的脱 H 转变点为350 ℃。DP–PECVD 法制备的 a–C:H 薄膜在 H 脱附过程中更容易形成 sp3 –C,而 BiP–PECVD 法制备的 a–C:H 薄膜在此过程中形成 sp3 –C 和 sp2 –C 杂化键的概率基本相同。BiP–PECVD 法制备的 a–C:H 薄膜在退火过程中更容易失去 H,且在450 ℃以上出现大面积剥离,摩擦失效。而 DP–PECVD 法制备的碳薄膜则表现出更好的热和摩擦学稳定性,在350~650 ℃均可保持薄膜的完整性,并且在350~550 ℃退火后保持低至约0.06 的摩擦因数。结论 DP–PECVD 方法制备的 a–C:H 薄膜具有更好的热稳定性、力学稳定性及摩擦学稳定性。 |
Keyword | 非晶含氢碳薄膜 退火 双极脉冲 直流脉冲 等离子体增强化学气相沉积 |
If | 2.36 |
Language | 中文 |
compositor | 第一作者单位 |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.licp.cn/handle/362003/30521 |
Collection | 中国科学院材料磨损与防护重点实验室/先进润滑与防护材料研究发展中心 |
Affiliation | 中国科学院兰州化学物理研究所中国科学院材料磨损与防护重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 贾倩,张斌,赖振国. 非晶含氢碳薄膜本征结构对退火行为的影响[J]. 表面技术,2022,51(7):98-106. |
APA | 贾倩,张斌,&赖振国.(2022).非晶含氢碳薄膜本征结构对退火行为的影响.表面技术,51(7),98-106. |
MLA | 贾倩,et al."非晶含氢碳薄膜本征结构对退火行为的影响".表面技术 51.7(2022):98-106. |
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非晶含氢碳薄膜本征结构对退火行为的影响_(2035KB) | 期刊论文 | 作者接受稿 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | View Application Full Text |
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