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单源低能离子束辅助沉积类金刚石薄膜摩擦性能的研究
Department非现建制
朱宏; 柳襄怀; 任琮欣; 邹世昌; 刘惠文; 张绪寿
1995
Source Publication摩擦学学报
ISSN1004-0595
Volume15Issue:2Pages:118-125
Abstract目前,制各类金刚石薄膜的方法很多,然而其中的多数在沉积过程中都需要基体具有比较高的温度,这就不可避免地会对耐温性能较差的材料造成损伤,或使机械零部件发生变形和尺寸变化.因此,利用单源低能离子束辅助沉积法制备了非晶碳薄膜,并且利用喇曼光谱和俄歇电子能谱研究了薄膜的结构,发现其为无定形的类金刚石薄膜,薄膜中的碳原子成键主要是sp2杂化键.研究表明,随着离子能量和束流的增大,薄膜的显微硬度、摩擦系数和寿命都增大.由于这种方法制备的类金刚石薄膜的含氢量较少,膜中sp2杂化键较多,性能更接近于石墨,故其摩擦性能较好.研究结果对深入认识类金刚石簿膜结构和在改进磁盘表面耐磨保护涂层等薄膜润滑性能方面,都具有重要的指导意义和实用价值。
Keyword离子束辅助沉积 类金刚石薄膜 摩擦性能 Ion Beam Assisted depositIon Diamond Like Film Tribological Properties
Subject Area材料科学与物理化学
Language中文
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.licp.cn/handle/362003/7355
Collection非现建制
Corresponding Author朱宏
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GB/T 7714
朱宏,柳襄怀,任琮欣,等. 单源低能离子束辅助沉积类金刚石薄膜摩擦性能的研究[J]. 摩擦学学报,1995,15(2):118-125.
APA 朱宏,柳襄怀,任琮欣,邹世昌,刘惠文,&张绪寿.(1995).单源低能离子束辅助沉积类金刚石薄膜摩擦性能的研究.摩擦学学报,15(2),118-125.
MLA 朱宏,et al."单源低能离子束辅助沉积类金刚石薄膜摩擦性能的研究".摩擦学学报 15.2(1995):118-125.
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