多酰胺化合物的研究——Ⅳ 二甘双酰胺的合成及其电位选择性能 | |
Department | 非现建制 |
焦天权; 谭干祖; 徐浚哲 | |
1988 | |
Source Publication | 兰州大学学报(自然科学版) |
ISSN | 0455-2059 |
Volume | 24Issue:4Pages:80-83 |
Abstract | 合成了四种二甘双酰胺化合物, 并讨论了它们的电位选择系数. 作者认为, 二甘酰双二环戊二烯基胺可能是钙离子选择膜电极的优良活性物质. |
Subject Area | 物理化学 |
Language | 中文 |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.licp.cn/handle/362003/6159 |
Collection | 非现建制 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 焦天权,谭干祖,徐浚哲. 多酰胺化合物的研究——Ⅳ 二甘双酰胺的合成及其电位选择性能[J]. 兰州大学学报(自然科学版),1988,24(4):80-83. |
APA | 焦天权,谭干祖,&徐浚哲.(1988).多酰胺化合物的研究——Ⅳ 二甘双酰胺的合成及其电位选择性能.兰州大学学报(自然科学版),24(4),80-83. |
MLA | 焦天权,et al."多酰胺化合物的研究——Ⅳ 二甘双酰胺的合成及其电位选择性能".兰州大学学报(自然科学版) 24.4(1988):80-83. |
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多酰胺化合物的研究_二甘双酰胺的合成及其(200KB) | 开放获取 | CC BY-NC-SA | View Application Full Text |
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