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多酰胺化合物的研究——Ⅳ 二甘双酰胺的合成及其电位选择性能
Department非现建制
焦天权; 谭干祖; 徐浚哲
1988
Source Publication兰州大学学报(自然科学版)
ISSN0455-2059
Volume24Issue:4Pages:80-83
Abstract合成了四种二甘双酰胺化合物, 并讨论了它们的电位选择系数. 作者认为, 二甘酰双二环戊二烯基胺可能是钙离子选择膜电极的优良活性物质.
Subject Area物理化学
Language中文
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.licp.cn/handle/362003/6159
Collection非现建制
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GB/T 7714
焦天权,谭干祖,徐浚哲. 多酰胺化合物的研究——Ⅳ 二甘双酰胺的合成及其电位选择性能[J]. 兰州大学学报(自然科学版),1988,24(4):80-83.
APA 焦天权,谭干祖,&徐浚哲.(1988).多酰胺化合物的研究——Ⅳ 二甘双酰胺的合成及其电位选择性能.兰州大学学报(自然科学版),24(4),80-83.
MLA 焦天权,et al."多酰胺化合物的研究——Ⅳ 二甘双酰胺的合成及其电位选择性能".兰州大学学报(自然科学版) 24.4(1988):80-83.
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