| 二硅化钼基材料的制备方法 | |
喇培清; 薛群基 ; 刘维民; 杨生荣
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| 2003-07-09 | |
| Rights Holder | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| Date Available | 2001-03-21 |
| Country | 中国 |
| Abstract | 本发明公开了一种二硅化钼基材料的制备方法。本发明选用重量百分数为铝：18.47—21.27,硅：19.18—28.31,三氧化钼：49.30—56.70,活性炭：0—3.91,镍：0—11.27的粉状反应物，采用自蔓延方法制备二硅化钼基材料的方法。该方法与热压烧结方法相比工艺及所需设备简单，成本明显降低。制备的材料具有良好的微观组织与结构及力学性能。其断裂韧性是热压烧结二硅化钼基材料的2—3倍，抗磨性能是轴承钢的4—7倍。 |
| Subject Area | 材料科学与物理化学 |
| Department | 固体润滑国家重点实验室 |
| Application Date | 2000-09-23 |
| Patent Number | 00126562.8 |
| Language | 中文 |
| Status | 授权 |
| Application Number | CN1287986 |
| Patent Agent | 方晓佳 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.licp.cn/handle/362003/3734 |
| Collection | 固体润滑国家重点实验室（LSL） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 喇培清,薛群基,刘维民,等. 二硅化钼基材料的制备方法. 00126562.8[P]. 2003-07-09. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 00126562.8.pdf（436KB） | 开放获取 | CC BY-NC-SA | View Application Full Text | |||
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