| 四方氧化锆陶瓷的烧结方法 | |
刘惠文; 薛群基 ; 刘维民; 阎逢元
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| 2000-12-13 | |
| Rights Holder | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| Date Available | 1996-10-09 |
| Country | 中国 |
| Abstract | 本发明用化学共沉淀法制得纳米ZrO2(Y2O33%mol)陶瓷粉，通过添加一定量的烧结助剂、晶粒生长抑制剂混料，经预压成型，再用中频电炉在较低温度下快速烧结，可获得相对密度为94—97%的致密四方氧化锆(TZP)整体材料。制得的TZP陶瓷材料具有良好的硬度、断裂韧性和抗磨性。 |
| Subject Area | 材料科学与物理化学 |
| Department | 非现建制 |
| Application Date | 1995-04-05 |
| Patent Number | 95102998.3 |
| Language | 中文 |
| Status | 授权 |
| Application Number | CN1132730 |
| Patent Agent | 方晓佳 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.licp.cn/handle/362003/3617 |
| Collection | 非现建制 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 刘惠文,薛群基,刘维民,等. 四方氧化锆陶瓷的烧结方法. 95102998.3[P]. 2000-12-13. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 95102998.3.pdf（257KB） | 开放获取 | CC BY-NC-SA | View Application Full Text | |||
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